TECNOLOGÍA: Electrónica: Historia de la electónica - 3ª parte
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Tecnología

ELECTRÓNICA

Historia de la electrónica - 3ª parte


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El transistor

a necesidad de un dispositivo amplificador, mejor que la válvula de vacío, aumentó durante la segunda guerra mundial. Por este motivo todas las universidades estadounidenses se pusieron a trabajar sobre el problema, dirigidas por el MIT (Instituto de Tecnología de Massachusetts). Durante los años que transcurrieron hasta el descubrimiento del transistor, todos los científicos vivieron un ambiente frenético intentando ser los primeros en descubrir el nuevo dispositivo.

Una de las universidades que más cerca estuvo fue la de Purdue. En ella Karl Lark-Horovitz había hecho grandes progresos en la purificación del germanio, material semiconducor, y él y su grupo habían explorado su estructura y su respuesta a los estímulos eléctricos. En realidad, este equipo de científicos, del que formaban parte Seymour Benzer y Ralph Bray, llegó a descubrir todos los fundamentos físicos del transistor, pero no se les ocurrió relacionarlos entre sí.

Con la aparición de los transistores, el mundo de la electrónica vio aumentado su campo de aplicación, tanto en lo que se refiere a la velocidad de tránsito de los impulsos eléctricos, como a la seguridad y reducido espacio que ocupan en cualquier equipo o instrumento electrónico.
Con la aparición de los transistores, el mundo de la electrónica vio aumentado su campo de aplicación, tanto en lo que se refiere a la velocidad de tránsito de los impulsos eléctricos, como a la seguridad y reducido espacio que ocupan en cualquier equipo o instrumento electrónico.

Pero el descubrimiento del transistor no se produjo en ninguna universidad sino en los laboratorios de investigación de la compañía Bell. La Bell, o «ma Bell» como se la conoce familiarmente en Estados Unidos, es la compañía telefónica norteamericana y sus laboratorios poseían, y siguen poseyendo, un merecido prestigio. Es la empresa del mundo que más premios nobel tiene en nómina y genera al año una media de 700 patentes de inventos científicos. En la actualidad y debido a las leyes antimonopolio norteamericanas, la compañía se ha fraccionado en varias empresas más pequeñas, la principal de las cuales, la «American Telephone and Telegraph» (AT&T) sigue llevando la dirección de los laboratorios.

Dentro de la empresa se organizaron diversos grupos para investigar las características de los semiconductores. El material elegido para trabajar fue el germanio, que era relativamente fácil de encontrar, como dióxido de germanio, en las minas de obtención de zinc.

Un grupo lo dirigía William Shockley, y de él formaban parte John Barden y Walter Brattain. Barden era un teórico puro, que hacía física mediante cálculos y papel, mientras que Brattain era un experimentador que se encargaba de todas las pruebas de laboratorio. Este grupo se dedicó, como muchos otros, al intento de construir un transistor de efecto de campo (FET).

El funcionamiento que se quería obtener era similar al de la válvula. Una pequeña rejilla metálica situada en un lateral del transistor debería controlar el flujo de electrones entre los dos extremos. Pero, aunque ellos todavía no lo sabían, el transistor FET, tal como se pretendía, era imposible, debido a la inmovilización de los electrones inducidos en la superficie del semiconductor.

Al comprobar que sus pruebas para obtener un FET fallaban, el grupo empezó a estudiar la superficie del material semiconductor. En un momento dado acercaron entre sí dos puntas de prueba midiendo la superficie y observaron un efecto sorprendente. Una carga positiva en una de las puntas, aumentaba considerablemente la capacidad de conducir del semiconductor. En base a este efecto, construyeron el primer transistor el 23 de diciembre de 1947.

El dispositivo era un transistor de germanio de efecto de punta. Este transistor, considerablemente rústico e inestable, representaba el principio de una nueva era en la Electrónica. Sin embargo, no recibió todo el interés que se merecía. La industria electrónica solo lo consideraba un sustituto mejorado de la válvula, cuando en realidad ofrecía muchas más posibilidades, como se comprobó posteriormente.

El primer transistor de germanio de efecto de punta era, en principio, un dispositivo rudimentario e inestable. Más tarde se comprobaron las grandes posibilidades del nuevo invento
El primer transistor de germanio de efecto de punta era, en principio, un dispositivo rudimentario e inestable. Más tarde se comprobaron las grandes posibilidades del nuevo invento

Para el público en general, la noticia tuvo aún menos interés. En los periódicos ocupó sólo unas líneas en páginas interiores. Un ejemplo de la falta de atención que provocó, fue que sus autores recibieron el premio Nóbel de Física en 1956, cuando ya se había demostrado suficientemente la valía de la invención.

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